| 型号： | SSM6N15AFU,LF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Toshiba | 描述： | MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| SSM6N15AFU,LF PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.6 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | US6 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | SSM6N15AFULFDKR |